NAND-FLASH 芯片BGA高低溫BIT智能測試箱

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閃存芯片智能測試系統(tǒng)是一種可以量身定制測試方案、支持多種型號閃存顆粒并行測試的綜合閃存測試系統(tǒng)，系統(tǒng)可提供寬溫測試環(huán)境，并行測試閃存顆粒種類最多可達(dá) 64 種，并行測試閃存顆粒數(shù)量最多可達(dá) 512 顆。
閃存芯片智能測試系統(tǒng)支持多種測試 pattern 及自定義測試參數(shù)功能，可提供一鍵式基礎(chǔ)測試流程和高靈活性的高階測試流程，不僅可以實(shí)現(xiàn)閃存顆粒剩余壽命預(yù) 測、實(shí)測、數(shù)據(jù)保持和讀干擾等多種功能性測試，還能夠幫助用戶檢驗(yàn)閃存顆粒的可靠性狀態(tài)，完成測試后可以方便快捷地一鍵導(dǎo)出測試報告，為客戶提供最直觀精確的圖形化測試數(shù)據(jù)，為閃存顆粒的等級分類和應(yīng)用提供最直觀的數(shù)據(jù)參考，并基于閃存顆粒品質(zhì)檢測結(jié)果實(shí)現(xiàn)智能分級。

1、產(chǎn)品概述

閃存芯片智能測試系統(tǒng)YC-512-NAND是一種可以量身定制測試方案、支持多種型號閃存顆粒并行測試的綜合閃存測試系統(tǒng)，系統(tǒng)可提供寬溫測試環(huán)境，并行測試閃存顆粒種類最多可達(dá) 64 種，并行測試閃存顆粒數(shù)量最多可達(dá) 512 顆。

閃存芯片智能測試系統(tǒng)YC-512-NAND支持多種測試 pattern 及自定義測試參數(shù)功能，可提供一鍵式基礎(chǔ)測試流程和高靈活性的高階測試流程，不僅可以實(shí)現(xiàn)閃存顆粒剩余壽命預(yù) 測、實(shí)測、數(shù)據(jù)保持和讀干擾等多種功能性測試，還能夠幫助用戶檢驗(yàn)閃存顆粒的可靠性狀態(tài)，完成測試后可以方便快捷地一鍵導(dǎo)出測試報告，為客戶提供最直觀精確的圖形化測試數(shù)據(jù)，為閃存顆粒的等級分類和應(yīng)用提供最直觀的數(shù)據(jù)參考，并基于閃存顆粒品質(zhì)檢測結(jié)果實(shí)現(xiàn)智能分級。

2 、產(chǎn)品規(guī)范

測試依據(jù)符合JEDEC Stand No.218: 固態(tài)技術(shù)協(xié)會 B-2016 Solid-State Drive(SSD) Requirements And Endurance Test Motho；
測試依據(jù)符合JEDEC Standard No.47 NVCE:固態(tài)技術(shù)協(xié)會Stress-Test-Driven Qualification of Integrated Circuits；

※ 測試板設(shè)計(jì)規(guī)格符合工業(yè)級測試溫度環(huán)境要求；

3 、產(chǎn)品圖例

4、設(shè)備組成

名稱			規(guī)格	數(shù)量
主	體	測試板	PCBA_XC7Z030_NAND_TEST_V1_3_Rohs	64
			YC-512-NAND 定制溫箱
		溫箱	溫箱：L130cmW185cmH186cm；控制箱：L60cmW110cmH157cm；	1
			可并行測試顆粒數(shù)量：1~512 顆；
			工作溫度范圍：-60℃~+150℃；
			含維護(hù)用螺絲刀、備用螺絲、扳手；
			詳細(xì)規(guī)格如下文檔
		上位機(jī)	CPU-i7，16G 內(nèi)存，1T 固態(tài)硬盤+機(jī)械硬盤 3T； 21.5 寸顯示器；	1
		交換機(jī)	千兆交換機(jī)	2
配	件	真空吸筆	便攜式防靜電	1
		閃存規(guī)格限位框	12mm*18 mm（測試底座內(nèi)置）	512
		閃存規(guī)格限位框	14mm*18 mm	512
		附系統(tǒng)安裝 U 盤	32GB	1
軟	件	NAND 閃存自動化測試分類與壽命預(yù)測系統(tǒng) 1.0		1
		閃存篩選方法軟件 V1.0.0		1
		NAND 閃存高低溫測試分類與篩選系統(tǒng) V1.0		1

5、產(chǎn)品功能

產(chǎn)品功能
基礎(chǔ)測試	芯片信息識別
	實(shí)時功耗測試
	誤碼率測試
	平均擦除時間測試
	平均編程時間測試
	壞塊數(shù)測試
	壞塊容量測試
	剩余可用容量測試
	閃存等級劃分
	剩余壽命預(yù)測
	一鍵導(dǎo)出測試報告
實(shí)驗(yàn)測試	最大錯誤數(shù)測試
	平均擦除時間測試
	平均編程時間測試
	閃存錯誤數(shù)變化繪圖
	實(shí)際可擦寫次數(shù)測試
	最大頁面錯誤數(shù)變化測試
	擦除時間變化測試
	編程時間變化測試
高階測試	測試電壓拉偏
	設(shè)置測試范圍（塊間隔）
	ECC 設(shè)定
	挑選測試 pattern
	Read-retry
	數(shù)據(jù)保持
	讀干擾

6、技術(shù)參數(shù)

物理特性
設(shè)備尺寸	溫箱：L130cmW125cmH230cm；控制箱：L73cmW90cmH127cm；
供電方式	交流
工作電壓范圍	三相供電 380V
正常工作功耗	16KW
工作溫度范圍	-40℃~+85℃
存儲溫度范圍	0℃~+25℃
工作濕度范圍	45%~75%
系統(tǒng)性能
可并行測試顆粒數(shù)量	1~512 顆
已支持測試閃存品牌	Micron、Intel、YMTC、Hynix、Toshiba、Sandisk 等廠商的 SLC、 MLC、TLC、QLC 類型 NAND Flash 芯片顆粒（范圍擴(kuò)展中）
已支持測試封裝規(guī)格	BGA152、BGA132（可定制擴(kuò)展）
已支持閃存協(xié)議類型	ONFI/toggle 接口顆粒
支持電壓	硬件支持 V1.2、V1.8 可選
支持電壓拉偏范圍	軟件支持可微調(diào) vcc2.3~3.6 vccq1.2 1.15~1.25 vccq1.8 1.70~1.95
支持測試范圍可選	起始測試塊數(shù)、塊間間隔、循環(huán)數(shù)、測試時間等個性化設(shè)置
支持 pattern	全 0，全 1，全 5，偽隨機(jī)，棋盤格，字線隨機(jī)
支持特殊測試命令	閃存信息檢測
	閃存性能檢測
	壽命測試與預(yù)測
	質(zhì)量等級分類
	數(shù)據(jù)干擾測試
	數(shù)據(jù)保持測試
	Read-Retry 功能
	壽命測試與預(yù)測
	ECC 自定義
并行測試速度	以基礎(chǔ)測試為參考：均衡模式：32GB512 顆粒約 1 小時；全面模式：32GB512 顆約 2 小時；高速模式：32GB*512 顆約 0.5 小時；
智能化測試模塊	基礎(chǔ)測試
	實(shí)驗(yàn)測試
	高階測試